电致发光显示装置和具有电致发光显示装置的电子装置

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电致发光显示装置和具有电致发光显示装置的电子装置

时间:2019-12-29本站浏览次数:14

       

电致发光显示装置和具有电致发光显示装置的电子装置

提供一种电子装置,其中防止装置的退化和改善孔径比,而没有使用黑掩模和没有提高掩模数量。在该电子装置中,第一电极(113)形成在一个层上,该层与其上形成栅极配线作为栅电极(145)的层不同,和具有像素开关TFT的半导体层重叠在栅极配线(145)上,从而不受光的照射。因此,抑制TFT的退化,并实现高孔径比。

附图说明

另外,填充剂4103中可以包含间隔剂。在这种情况中,如果间隔剂由氧化钡制成,该间隔剂本身可以提供吸湿特性。另外,在间隔剂设置在填充剂中的情况下,在阴极4305上设置树脂膜作为缓解来自间隔剂的压力的缓冲层是有效的。

在该实施例中,使用结晶硅薄膜作为TFT的有源层,但可以使用非晶硅薄膜作为有源层。另外,由非晶硅薄膜形成需要降低截止电流的开关TFT的有源层,和由结晶硅薄膜形成电流控制TFT的有源层是可能的。因为非晶硅薄膜的载流子迁移率低,很难允许电流流入非晶硅薄膜和截止电流流入其中。换句话说,电流很难流动的非晶硅薄膜和电流容易流动的结晶硅薄膜的优点都可以是有用的。

如果将来开发出了具有非常低的驱动电压的无机EL材料,可以应用到本发明中。

实施例11根据本发明制造的EL显示装置是自发射类型的,并且因此与液晶显示装置相比较,在光亮的地方表现出更优秀的显示图像的识别能力。另外,该EL显示装置具有更宽的视角。因此,该EL显示装置可以应用于多种电子装置的显示区域中。例如,为了在大尺寸的显示屏上观看TV节目等,可以使用根据本发明的自发射装置作为具有30英寸对角线尺寸或更大(通常是40英寸或更大)的EL显示器(即,EL显示装置安装到框架中的显示器)的显示部分。

然后,如图4C中所示,移去抗蚀剂掩模125a~125d,形成新的抗蚀剂掩模131。至此以后,在表面中添加p型掺杂元素(在该实施例中是硼),从而形成具有高浓度硼的掺杂区域132~135。在该例子中,通过使用乙硼烷(B2H2)的离子体注入方法将硼添加到该表面中,使得硼的浓度成为3×1020~3×1021原子/厘米3(典型的是5×1020~1×1021原子/厘米3)。

为了使得至少位于元件衬底上的开关TFT屏蔽光的照射,通过栅极配线145使得第一半导体层200的至少一个沟道形成区域设置成屏蔽光的照射。同样地,希望除了沟道形成区域以外,通过栅极配线145使得位于沟道形成区域与漏极区域之间的区域(LDD(轻掺杂漏)区域,偏移区域等等),和位于沟道形成区域与源极区域之间的区域屏蔽光的照射。另外,由于图1中所示的结构是多个栅极的结构,多个沟道形成区域位于一个半导体层上。因此,希望通过栅极配线145,能够使得位于一个沟道形成区域与另一个沟道形成区域之间的区域屏蔽光的照射。

首先,如图3A中所示,在玻璃衬底100上形成300nm厚的基膜101。在该实施例中,重叠氮化硅氧化膜作为底膜101。在此,与玻璃衬底100接触的该膜的氮的浓度最好设定成10~25wt%。

实施例10该实施例表示在上述各个实施例中形成EL层所使用的薄膜形成装置。

另外,在该实施例中,形成110nm厚度的ITO膜然后形成像素电极146的图案。像素电极146重叠在连接电极141上从而与需要接触的后者保持接触。另外,可以使用通过混合2~20wt%的氧化铟和氧化锌(ZnO)得到的透明导电膜。像素电极146成为EL元件的阳极。

然后,附图标记1106表示运载腔(B),其通过门1100b与库存腔1105连接并且具有运载机械(B)1107。另外,附图标记1108表示焙烤室,其通过门1100c与运载腔(B)1106连接。焙烤室1108具有翻转衬底的表面的机械。也就是说,通过面朝下系统运载的衬底向面朝上系统转换一次。这是因为通过面朝上系统进行接下来的使用旋转涂覆机1109的处理。相反地,已经受到旋转涂覆机1109处理的衬底再返回到焙烤室1108然后焙烤。然后,衬底的上面向下翻转,并且面朝上的系统转变成面朝下的系统。至此以后,该衬底返回到库存腔1105。

因此,完成了具有图5C中所示的结构的有源矩阵EL显示装置。附带地,通过不仅在像素部分上而且在驱动电路部分设置具有最优结构的TFT,根据该实施例的有源矩阵EL显示装置可以表现出非常高的稳定性和改善工作特性。

在该例子中,使用形成对应于RGB(红绿兰)的三种EL元件的系统。但是,可以使用将发射白光的EL元件与滤色器组合的方法,将发射蓝光或带蓝色的绿光的EL元件与荧光物质(荧光色彩转化层:CCM)组合的系统,通过使用透明电极将对应于RGB的EL元件叠加在阴极(反电极)上的系统等等。

首先,从表达式1中推导出表达式2。

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